研究兴趣集中在材料的拓扑性质、超导性质、以及拓扑超导性质的理论拓展和数值计算模拟,共发表第一/通讯作者论文十余篇。所取得的代表性成果如下:1. 预言了首个二维有机金属骨架超导材料Cu-BHT [Zhang X. et al., Nano Lett., 17, 6166-6170 (2017)],并获得实验验证;2. 预言了多种二维拓扑绝缘体材料,报道了硅表面生长的二维铋银合金(BiAg/Si(111)-4×4)具有拓扑性质,拓扑非平庸能隙高达71 meV [Zhang X. et al., Phys. Rev. B, 97, 085422 (2018)];3. 基于拓扑绝缘体解释了拓扑超导电性的产生机制【PRB, 103, 024405 (2021)】,开发了拓扑超导电性第一性原理数值计算方法【npj Comput. Mater. 7, 44 (2021)】;4. 将拓扑超导电性理论推广到反对称自旋轨道耦合效应【Nano Lett., 22, 9000 (2022)】和各向异性的能带节点类型【PRB, 104, 245409 (2021)】,筛选了300余种候选材料;5. 提出过渡金属二硫族化物中空位线缺陷有望推进实验研究拓扑超导电性【PRB, 108, 144101 (2023)】;6. 发展了铁电极化调控拓扑超导电性的理论【PRB, 109, 125130 (2024)】,通过提出元素铁电化合物的概念预言了无标度铁电材料体系【Mater. Horiz., 12, 6967 (2025)】;7. 基于面内自旋纹理材料发展了节点拓扑超导电性理论【PRB, 112, 085423 (2025)】;8. 预言了伊辛超导体的外尔节线态可形成FFLO超导配对【PRB, 105, 024405 (2022)】,与实验合作提出三维伊辛超导电性【Nano Lett., 25, 4895 (2025)】;9. 解释了镥氢化物的组分和超导电性相关的实验结果【PRB, 109, 224511 (2024)】;10. 预言了具有丰富电学性质的四方过渡金属二硫族化物材料家族【Mater. Horiz., 11, 2694 (2024),PRB, 112, 125109 (2025)】。
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